ଉଚ୍ଚମାନର ଗାଲିୟମ୍ ଧାତୁ 4N〜7N ଶୁଦ୍ଧ ତରଳିବା |
| ଗାଲିୟମ୍ ଧାତୁ | | |
| STP ରେ ପର୍ଯ୍ୟାୟ | କଠିନ |
| ତରଳିବା ବିନ୍ଦୁ | | 302.9146K (29.7646 ° C, 85.5763 ° F) |
| ଫୁଟିବା ବିନ୍ଦୁ | | 2673K (2400 ° C, 4352 ° F) [2] |
| ଘନତା (rt ନିକଟରେ) | 5.91g / cm3 |
| ଯେତେବେଳେ ତରଳ (mp ରେ) | 6.095g / cm3 |
| ଫ୍ୟୁଜନ୍ ର ଉତ୍ତାପ | | 5.59kJ / mol |
| ବାଷ୍ପୀକରଣର ଉତ୍ତାପ | | 256kJ / mol [2] |
| ମୋଲାର ଉତ୍ତାପ କ୍ଷମତା | | 25.86J / (mol · K) |
ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ଗାଲିୟମ୍ ଧାତୁ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ |
ଶୁଦ୍ଧତା: 4N 5N 6N 7N
ପ୍ୟାକିଂ: 25 କିଲୋଗ୍ରାମ / ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ବୋତଲ, 20 ବୋତଲ / କାର୍ଟନ୍ |
ଗାଲିୟମ୍ ମେଟାଲ୍ କ’ଣ ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ?
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରୟୋଗ ହେଉଛି ଗାଲିୟମ୍ ପାଇଁ ମୁଖ୍ୟ ଚାହିଦା, ଏବଂ ପରବର୍ତ୍ତୀ ପ୍ରମୁଖ ପ୍ରୟୋଗ ହେଉଛି ଗ୍ୟାଡୋଲିନିୟମ୍ ଗ୍ୟାଲିୟମ୍ ଗାର୍ନେଟ୍ ପାଇଁ |
ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଶିଳ୍ପକୁ ସେବା କରିବା ପାଇଁ 6N ଉଚ୍ଚ-ଶୁଦ୍ଧତା ଗ୍ୟାଲିୟମ୍ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ଗାଲିୟମ୍ ବ୍ୟବହାରର ପ୍ରାୟ 98% ହେଉଛି ଗାଲିୟମ୍ ଆର୍ସେନାଇଡ୍ (GaAs) ଏବଂ ଗାଲିୟମ୍ ନାଇଟ୍ରାଇଡ୍ (GaN), ଯାହା ଉପସ୍ଥାପିତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ପ୍ରାୟ 66% ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଗାଲିୟମ୍ ଇଣ୍ଟିଗ୍ରେଟେଡ୍ ସର୍କିଟ୍ରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ (ପ୍ରାୟତ gal ଗାଲିୟମ୍ ଆର୍ସେନାଇଡ୍), ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ ସେଲ୍ ଫୋନରେ ସ୍ୱଳ୍ପ ଶବ୍ଦ ମାଇକ୍ରୋୱେଭ୍ ପ୍ରିମ୍ପ୍ଲାଇଫର୍ ପାଇଁ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ସ୍ପିଡ୍ ଲଜିକ୍ ଚିପ୍ସ ଏବଂ MESFET ଉତ୍ପାଦନ |
ଫୋଟୋଭୋଲ୍ଟିକ୍ ଯ ounds ଗିକରେ ଗାଲିୟମ୍ ମଧ୍ୟ ଏକ ଉପାଦାନ ଅଟେ (ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ ତମ୍ବା ଇଣ୍ଡିୟମ୍ ଗାଲିୟମ୍ ସେଲେନିୟମ୍ ସଲଫାଇଡ୍ କୁ (ଇନ୍, ଗା) (ସେ, ଏସ୍))) ସ୍ଫଟିକ୍ ସିଲିକନ୍ ପାଇଁ ଏକ ବ୍ୟୟବହୁଳ ବିକଳ୍ପ ଭାବରେ ସ ar ର ପ୍ୟାନେଲରେ ବ୍ୟବହୃତ |
